　　晶闸管从导通到阻断和开关电路一样，因为有电感（主要是变压器漏抗LT）释放能量，所以会产生过电压。管子在导通期间，载流子充满芯片内部，当关断过程中正向电流下降到零时，芯片内部仍残存着载流子，管子并未恢复阻断能力。在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使内部残存的载流子迅速消失，管子立即关断。这时反向电流减小的速度极快（di/dt极大），即使回路电流很小，也会产生很大的感应电动势，反而加在已恢复阻断的管子两端，如图2-15a所示。这种由于管子关断过程引起的过电压，称之为关断过电压。其值可达工作电压峰值的5～6倍，可能会导致管子的反向击穿，所以必须采取保护措施。

图2-15b所示为在单相半控桥晶闸管关断过程中，晶闸管两端出现的瞬时反向过电压尖峰（毛刺）波形。

对于这种尖峰状的瞬时过电压，常用的保护方法是在晶闸管两端并接RC吸收元件，如图2-16所示。利用电容两端电压瞬时不能突变的特性，吸收尖峰过电压，把电压限制在管子允许的范围内。串联电阻的作用是：①阻尼LC电路振荡。由于关断回路电感的存在，在晶闸管阻断时，L、C、R与交流电源刚好组成串联振荡电路，如不串电阻R，电容两端将会产生比电源电压高得多的振荡电压，将导致管子被击穿。②限制晶闸管开通损耗与电流上升率。在晶闸管承受正向电压未导通时，电容C已充电，极性如图2-16所示。在管子触发导通的瞬间，电容C迅速经管子放电。若没有电阻限流，这个放电尖峰电流很大，不仅增加管子开通损耗，而且使流过管子的电流上升率di/dt过大，易损坏管子。在并接阻容元件时，接线要尽量短，以使保护效果较好。